分辨率:5nm（30kv,SE Image）20nm(30KV,BSE Image)
电压:1-30kv（1/5/10/15/20/30）
探测器:SE（Secondary Electron）二次电子,BSE（Back scattered Electron）背散射电子
电子枪:Tungsten Filament（cartridge）钨灯丝
光阑:200um（fix）
真空模式:High Vacuum高真空系统 (Low Vacuum低真空系统可选),电子显微镜,样品台尺寸:X:35㎜,Y:35㎜,R:360?/3-axis
样品尺寸:70*30mm |
电气系统：
反射光照明
内置反射光照明LED电源 无级可调光强旋钮
输入额定值100-120V/220-240V AC1.9/0.9A，50Hz/60Hz
透射光照明
光源LG-PS2（12V100W）无级调光强调节旋钮
输入额定值100-120V/220-240V AC3.0/1.8A，50Hz/60Hz
外部接口 |
观察方法：明场，暗场，相衬，荧光(仅蓝激发)，简易偏光 |
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